IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統效率。智能化、模塊化成為IGBT發展熱點。
碳化硅（SiC）器件生產工藝和技術已經日趨成熟，目前市場推廣最大的障礙是成本。包括研發和生產成本以及應用中碳化硅器件代換IGBT后整個電路中的驅動電容電阻的成本。除非生產商主推，而且的確能降低成本提高性能。畢竟采用新東西會付出很大代價的。受制于制造成本和產品良率影響，目前阻礙SiC產品大規模進入市場的主要原因是價格昂貴，一般是同類Si產品的10倍左右。雖然說未來隨著技術改進和成本下降，碳化硅（SiC）器件取代IGBT是必然碳化硅（SiC）器件，性能上可能是很厲害，但真能成為大勢不光要性能上，還要成本上，可靠性上多重保證才行。
