西碼可控硅 N系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列

N1314NC300 N1314NC320 N1314NC340
N0392WC120 N0392WC140 N0392WC160
N0491WC020 N0491WC040 N0676YS120 N0676YS140

N570CH30 N570CH32 N570CH34 N570CH36
N170CH12 N170CH14 N170CH16
N195CH12 N195CH14 N195CH16
N275CH02 N275CH04 N275CH06

西碼R系列可控硅

R190SH10-14 R200SH16-21 R219SH08-12 R220SH08-12 D350SH24-26

R350SH08-12 R325SH10-14 R355SH08-12
　
IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統效率。智能化、模塊化成為IGBT發展熱點。