關(guān)于IGBT二極管選型應(yīng)用如下
lGBT續(xù)流二極管一般應(yīng)選擇快速類型的二極管，并且具有良好的軟恢復(fù)特性。
IGBT續(xù)流二極管的正向通態(tài)壓降 VF也受溫度影響，選擇IGBT時(shí)也需要考慮這一因素。
(2)種類的選擇 IGBT續(xù)流二極管一般選擇高頻率的、快速功率型二極管。肖特基二極管一般用于電壓小于100V的情況下。因此，主要用于MOSFET。外延生長(zhǎng)式二極管一般用于電壓范圍為100 ~1200V的情況下，因此，可以選擇作為IGBT續(xù)流二極管。
(1)參數(shù)選擇IGBT續(xù)流二極管在參數(shù)選擇上主要體現(xiàn)是對(duì)換流速度、正向通態(tài)壓降 VF、反向阻斷電壓VR,反向恢復(fù)時(shí)間trr、可重復(fù)正向峰值電壓VFRM、反向峰值電流IRRM等的選擇。
反向阻斷電壓VR一般是提供25℃條件下的數(shù)值，IGBT續(xù)流二極管具有隨著溫度降低，反向阻斷能力下降，漏電流也下降的特點(diǎn)。因此，選擇反向阻斷電壓VR需要考慮溫度這一影響因素。另外，反向阻斷電壓VR下的漏電流不得超過臨界電流IR。
?場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅驅(qū)動(dòng)電路是有本質(zhì)上的區(qū)別，首先場(chǎng)效應(yīng)管通常分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅（可控硅也叫晶閘管，可分單向晶閘管和雙向晶閘管），其中絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管也叫MOS管（有一種場(chǎng)效應(yīng)管、三極管混合的器件叫IGBT俗稱門控管，該器件的驅(qū)動(dòng)電路與場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電路幾乎一樣），這種驅(qū)動(dòng)屬于電壓驅(qū)動(dòng)，在大多應(yīng)用在功率輸出、電力變換等場(chǎng)合，要求最好采用PWM（脈寬調(diào)制）信號(hào)來控制，其輸入到柵極的方波上升沿要求陡峭（也稱圖騰柱輸出），并且要有一定的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)能力（因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的柵極等效一個(gè)電容，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的瞬態(tài)功率不夠時(shí)，其原本的波形將被改變，通常等效為一個(gè)積分器），要求導(dǎo)通時(shí)，其柵極電壓要相對(duì)于源極高10-20V左右，典型值15V，而關(guān)斷時(shí)為了保證場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)斷可靠，該電壓此時(shí)應(yīng)該為-15V，在實(shí)際應(yīng)用中為了減小場(chǎng)效應(yīng)管的功耗過大或防止其損壞一般要加如過流保護(hù)和相關(guān)吸收電路，并且盡量做到場(chǎng)效應(yīng)管的工作頻率與負(fù)載的諧振頻率相同，典型應(yīng)用就是電磁爐，流過爐盤（加熱線圈）的電流與流過吸收電容的電流各自雖然都很大，但相位不同，互相抵消，經(jīng)疊加后的總電流較小，即流過場(chǎng)效應(yīng)管（實(shí)際用IGBT）的電流較小。下圖為場(chǎng)效應(yīng)管的典型驅(qū)動(dòng)電路：
經(jīng)典的IGBT驅(qū)動(dòng)電路圖
? ?而可控硅屬電流驅(qū)動(dòng)，因?yàn)樗刃в趦蓚€(gè)三極管構(gòu)成正反饋放大，當(dāng)有一個(gè)觸發(fā)信號(hào)后，由于強(qiáng)大的正反饋?zhàn)饔茫怪恢睂?dǎo)通，當(dāng)柵極電壓高于陽極電壓或者陽極、陰極電壓差小于一定數(shù)值時(shí)正反饋才會(huì)失效，即可控硅被復(fù)位，一般情況下，其柵極電壓不會(huì)高于陽極，所以可控硅屬于不可關(guān)斷的半控器件，當(dāng)觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)無法通過柵極關(guān)斷，而場(chǎng)效應(yīng)管屬全控器件可以通過柵極關(guān)斷。下圖為可控硅結(jié)構(gòu)及其典型驅(qū)動(dòng)電路：
可控硅結(jié)構(gòu)及其典型驅(qū)動(dòng)電路
